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  • WEP CVP21電化學(xué)C-V剖面濃度測(cè)量?jī)x

    WEP CVP21電化學(xué)C-V剖面濃度測(cè)量?jī)x 德國(guó)WEP公司的CVP21電化學(xué)C-V剖面濃度測(cè)試儀可高效、準(zhǔn)確的測(cè)量半導(dǎo)體材料(結(jié)構(gòu),層)中的摻雜濃度分布。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕,從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過(guò)程由軟件全自動(dòng)控制。 電化學(xué)ECV剖面濃度測(cè)試儀主要用于半導(dǎo)體材料的研究及開(kāi)發(fā),其原理是使用電化學(xué)電容-電壓法來(lái)測(cè)量半導(dǎo)體材料的摻雜濃度分布。電化學(xué)ECV(

    更新時(shí)間:2020-11-01

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  • 掃描開(kāi)爾文探針

    開(kāi)爾文探針(Kelvin Probe)是一種非接觸無(wú)損震蕩電容裝置,用于測(cè)量導(dǎo)體材料的功函數(shù)(Work Function)或半導(dǎo)體、絕緣表面的表面勢(shì)(Surface Potential)。材料表面的功函數(shù)通常由上層的1-3層原子或分子決定,所以開(kāi)爾文探針是一種的表面分析技術(shù)。主要型號(hào):KP020 (單點(diǎn)開(kāi)爾文探針),SKP5050(掃描開(kāi)爾文探針)。

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  • 光學(xué)薄膜測(cè)厚儀

    光學(xué)薄膜測(cè)厚儀 薄膜表面或界面的反射光會(huì)與從基底的反射光相干涉,干涉的發(fā)生與膜厚及折光系數(shù)等有關(guān),因此可通過(guò)計(jì)算得到薄膜的厚度。光干涉法是一種無(wú)損、且快速的光學(xué)薄膜厚度測(cè)量技術(shù),我們的薄膜測(cè)量系統(tǒng)采用光干涉原

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